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PDM1102H データシート(PDF) 2 Page - Nihon Inter Electronics Corporation

部品番号 PDM1102H
部品情報  MOSFET - 110A, 250V
PDF  3 Pages
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メーカー  NIEC [Nihon Inter Electronics Corporation]
ホームページ  http://www.niec.co.jp
Logo NIEC - Nihon Inter Electronics Corporation

PDM1102H データシート(HTML) 2 Page - Nihon Inter Electronics Corporation

  PDM1102H Datasheet HTML 1Page - Nihon Inter Electronics Corporation PDM1102H Datasheet HTML 2Page - Nihon Inter Electronics Corporation PDM1102H Datasheet HTML 3Page - Nihon Inter Electronics Corporation  
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─ 332 ─
■電気的特性 Electrical Characteristics（＠TC＝25℃ unless otherwise noted）
項   目
Characteristic
記号
Symbol
条   件
Condition
特性値（最大）
Maximum Value
単位
Unit
最小
Min.
標準
Typ.
最大
Max.
ドレイン遮断電流
Zero Gate Voltage Drain Current
IDSS
VDS＝VDSS, VGS＝0V
─
─
1
mA
ゲート・ソース間しきい値電圧
Gate-Source Threshold Voltage
VGS
（th）
VDS＝VGS, ID＝3mA
2
3.3
4
V
ゲート・ソース間漏れ電流
Gate-Source Leakage Current
IGSS
VGS＝±10V, VDS＝0V
─
─
0.3
μA
ドレイン・ソース間オン抵抗（MOSFET部）
Static Drain-Source On-Resistance
rDS（on）
VGS＝10V, ID＝55A
─
29
33
mΩ
ドレイン・ソース間オン電圧
Drain-Source On-Voltage
VDS
（on）
VGS＝10V, ID＝55A
─
2.2
2.4
V
順伝達コンダクタンス
Forward Transconductance
gfg
VDS＝15V, ID＝55A
─
55
─
S
項   目
Characteristic
記号
Symbol
条   件
Condition
特性値（最大）
Maximum Value
単位
Unit
最小
Min.
標準
Typ.
最大
Max.
ソース電流（連続）
Continuous Source Current
IS
D. C.
─
─
80
A
パルスソース電流
Pulsed Source Current
ISM
─
─
220
A
ダイオード順電圧
Diode Forward Voltage
VSD
IS＝110A
─
─
1.4
V
逆回復時間
Reverse Recovery Time
trr
IS＝110A
−diS/dt＝100A/μs
─
75
─
ns
逆回復電荷
Reverse Recovery Charge
Qr
─
0.15
─
μC
Tj＝125℃, VDS＝VDSS, VGS＝0V
─
─
4
入力容量
Input Capacitance
Ciss
VGS＝0V
VDS＝25V
f＝1MHz
─
13
─
nF
出力容量
Output Capacitance
Coss
─
2.3
─
nF
帰還容量
Reverse Transfer Capacitance
Crss
─
0.36
─
nF
上昇時間
Rise Time
tr
ターン・オン遅延時間
Turn-On Delay Time
td
（on）
VDD＝1/2VDSS
ID＝55A
VGS＝−5V, ＋10V
RG＝5Ω
─
140
─
ns
─
200
─
ns
ターン・オン遅延時間
Turn-Off Delay Time
td
（off）
─
230
─
ns
下降時間
Fall Time
tf
─
80
─
ns
項   目
Characteristic
記号
Symbol
条   件
Condition
特性値（最大）
Maximum Value
単位
Unit
最小
Min.
標準
Typ.
最大
Max.
熱抵抗（接合部−ケース間）
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth
（j-c）
MOSFET
─
─
0.30
℃/W
接触熱抵抗（ケース−冷却フィン間）
Thermal Resistance, Case to Heatsink
Rth
（c-f）
サーマルコンパウンド塗布
Mounting surface flat, smooth, and greased
─
─
0.1
Diode
─
─
2.0
■内部ダイオード定格・特性 Source-Drain Diode Ratings and Characteristics（＠TC＝25℃ unless otherwise noted）
■熱抵抗特性 Thermal Characteristics
Ｍ
Ｏ
Ｓ
Ｆ
Ｅ
Ｔ
モ
ジ
ュ
ー
ル



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