2N6560 datasheet(1/2 Pages) ISC

部品番号	2N6560

部品情報	isc Silicon NPN Power Transistor

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メーカー	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

ホームページ	http://www.iscsemi.cn

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isc website： www.iscsemi.com

isc & iscsemi is registered trademark

1

isc Silicon NPN Power Transistor

2N6560

DESCRIPTION

·

Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: VCEO=450V(Min)

·

Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

Performance and reliable operation

APPLICATIONS

·

Power amplifier and switching applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNI

T

VCBO

Collector-Base Voltage

450

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

450

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

5

V

IC

Collector Current-Continuous

10

A

PD

Collector Power Dissipation

@ TC=25℃

220

W

TJ

Junction Temperature

200

℃

Tstg

Storage Temperature Range

-65~200

℃

同様の部品番号 - 2N6560

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Seme LAB	2N6560	11Kb / 1P	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package.

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同様の説明 - 2N6560

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Inchange Semiconductor ...	BD907	106Kb / 2P	isc Silicon NPN Power Transistor
	BU2727AF	98Kb / 2P	isc Silicon NPN Power Transistor
	BU326	57Kb / 2P	isc Silicon NPN Power Transistor
	BU326A	129Kb / 2P	isc Silicon NPN Power Transistor
	MJ413	71Kb / 2P	isc Silicon NPN Power Transistor
	BUX47A	76Kb / 2P	isc Silicon NPN Power Transistor
	BUV48CFI	111Kb / 2P	isc Silicon NPN Power Transistor
	BUV70	102Kb / 2P	isc Silicon NPN Power Transistor
	BU406	134Kb / 3P	isc Silicon NPN Power Transistor