HM3200 datasheet(4/7 Pages) HMSEMI

4 / 7 page

Rev 1.1

2012-04-11

-45

VIN

输入电压

VOUT=4.5V

2.7

VOUT

无负载时的静态电

流3

2.7V < VIN < 5V, IOUT=0mA, SHDN =VIN

μA

VOUT

输出电压

2.7V < VIN < 4.5V, IOUT ≤ 50mA

4.32

4.5

4.68

3.0V < VIN < 4.5V, IOUT ≤ 100mA

4.32

4.5

4.68

ISHDN

Shutdown电流

2.7V<VIN<3.6V,IOUT=0mA,VSHDN=0

0.01

μA

3.6V<VIN<4.5V,IOUT=0mA,VSHDN=0

2.5

VRIPPLE

纹波电压

VIN=3V,IOUT=50mA

mVp-p

VIN=3V,IOUT=100mA

效率

VIN = 2.7V, IOUT = 50mA

fOSC

频率

振荡器频率

750

kHz

VIH

SHDN 输入为高时

的阈值电压

1.5

VIL

SHDN 输入为低时

的阈值电压

0.3

IIH

SHDN 输入为高的

输入电流

SHDN = VIN

-1

μA

IIL

SHDN 输入为低的

输入电流

SHDN = GND

-1

μA

tON

VOUT打开时间

VIN = 3V, IOUT = 0mA

0.2

ISC

短路电流2

VIN = 3V, VOUT = GND, SHDN = 3V

300

注释

: 1: VOUT 被上拉到5.5V，充电的开关关闭。

2: 在短路情况下可能已在过温保护模式下。

3: VOUT 被上拉到5V，充电的开关关闭。

Shenzhen H&M Semiconductor Co.Ltd

http：//www.hmsemi.com

HM3200 データシート(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

HM3200 データシート(HTML) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7

データシートダウンロード