STM4635 datasheet(3/4 Pages) DOINGTER

データシートサーチシステム

STM4635 データシート(PDF) 3 Page - SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

部品番号	STM4635

部品情報	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

PDF	4 Pages

Scroll/Zoom	100%

メーカー	DOINGTER [SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.]

ホームページ	http://www.doingter.cn/

Logo

3 / 4 page

www.doingter.cn

—

3 —

---

-10

LSM

---

-20

Notes:

Typical Characteristics： (T

C=25℃ unless otherwise noted)

Continuous Source Current

VG=VD=0V , Force Current

Repetitive Rating : Pulsed width limited by maximum junction temperature.

The data tested by pulsed , pulse width

≦ 300us , duty cycle ≦ 2%.

Essentially independent of operating temperature.

Fig.3 Normalized Vth vs. TJ

Fig.4 Gate Charge Waveform

Fig.1 Continuous Drain Current vs. TC

Fig.2 Normalized RDSON vs. TJ

TJ , Junction Temperature (℃)

TC , Case Temperature (℃)

TJ , Junction Temperature (℃)

Qg , Gate Charge (

nC)

STM 4635

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