SWK4441 datasheet(1/4 Pages) DOINGTER

部品番号	SWK4441

部品情報	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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メーカー	DOINGTER [SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.]

ホームページ	http://www.doingter.cn/

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www.doingter.cn

—

1 —

Description：

This P-Channel MOSFET uses advanced trench technology and

design to provide excellent RDS(on) with low gate charge.

It can be used in a wide variety of applications.

Features：

1) VDS=-60V,ID=-3.2A,RDS(ON)<105mΩ@VGS=-10V

2) Low gate charge.

3) Green device available.

4) Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS(ON).

5) Excellent package for good heat dissipation.

Absolute Maximum Ratings：(T

C=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Ratings

Units

VDS

Drain-Source Voltage

-60

V

VGS

Gate-Source Voltage

±20

V

ID

Continuous Drain Current-TC=25℃

-3.2

A

Continuous Drain Current-TC=100℃

-2.56

Pulsed Drain Current

1

-12.8

EAS

Single Pulse Avalanche Energy

25

mJ

PD

Power Dissipation

2.02

W

TJ, TSTG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

℃

Thermal Characteristics：

Symbol

Parameter

Max

Units

RƟJC

Thermal Resistance,Junction to Case

23

℃/W

RƟJA

Thermal Resistance,Junction to Ambient

62

G

D

S1

S

SWK4441

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