HM8002 datasheet(4/8 Pages) HMSEMI

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九．电学特性

1、除非另外指明，以下都是VDD=5V，RL =8Ω, 限制应用在TA =25℃

MD4871

符号

参数

条件

标准

限制

单位（限制）

2．0

V (最小)

VDD

电源电压

2．5

V (最大)

IDD

静态电流

VIN = 0V, IO=0A

3.5

mA（最大）

ISD

关断电流

VSD=VDD, VIN=0V

0.6

μA

VOS

输出失调电压

VIN = 0V

5.0

50.0

mV（最大）

THD=1％(最大)；f=1KHz

RL=4

RL=8

1.2

输出功率

THD=10％(最大)；f=1KHz

RL=4

RL=8

PSRR

电源抑制比

VDD=4.9V～5.1V

THD+N

总谐波失真

20Hz≤f≤20KHz

RL=4Ω，PO=1.6W

RL=8Ω, PO=1W

0.1

％

十、外围元器件描述

器件

功能描述

1．Ri

与

Rf一起设置闭环增益的输入电阻，同时还与CI形成了高通滤波器，且fC＝1/(2πRICI)。

2．Ci

输入耦合电容，主要用于隔离运放输入端的直流电压，同时还与输入电阻

RI构成高通滤

波器，

fC＝1/(2πRICI)。

3．Rf

与

Ri共同设置闭环增益的反馈电阻。

4．Cs

提供电源滤波器的电源旁路电容，参照“应用信息”部分设置和选取恰当的旁路电容。

5．CB

VDD /2 参考电压Bypass引脚的滤波电容，参照“应用信息”部分设置和选取恰当的旁路电容

十一、应用信息

3W 单声道带关断模式音频功率放大器

Shenzhen H&M Semiconductor Co.Ltd

http：//www.hmsemi.com

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