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MMG75J120U6TC データシート(PDF) 2 Page - MacMic

部品番号 MMG75J120U6TC
部品情報  1200V 75A IGBT Module
PDF  6 Pages
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メーカー  MACMIC [MacMic]
ホームページ  https://macmicst.com.tw
Logo MACMIC - MacMic

MMG75J120U6TC データシート(HTML) 2 Page - MacMic

  MMG75J120U6TC Datasheet HTML 1Page - MacMic MMG75J120U6TC Datasheet HTML 2Page - MacMic MMG75J120U6TC Datasheet HTML 3Page - MacMic MMG75J120U6TC Datasheet HTML 4Page - MacMic MMG75J120U6TC Datasheet HTML 5Page - MacMic MMG75J120U6TC Datasheet HTML 6Page - MacMic  
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background image
Unit
nA
Ω
µC
nF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
mJ
K /W
Unit
ns
A
µC
mJ
K /W
MMG75J120U6TC
RthJCD
Junction to Case Thermal Resistance （ Per Diode）
0.6
QRR
Reverse Recovery Charge
17.4
trr
Reverse Recovery Time
IF=75A , VR=600V
dIF/dt=-1700A/μs
TJ =150℃
470
IRRM
Max. Reverse Recovery Current
85
Erec
Reverse Recovery Energy
6.1
VF
Forward Voltage
IF=75A , VGE=0V, TJ=25℃
1.75
2.15
Diode
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T C =25°C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter/Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
V
IF=75A , VGE=0V, TJ=125℃
1.55
IF=75A , VGE=0V, TJ=150℃
1.50
TJ=125℃
6.3
A
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance (Per IGBT)
0.39
TJ=150℃
6.9
ISC
Short Circuit Current
tpsc≤10µS , VGE=15V
TJ=125℃,VCC=800V
310
Eon
Turn on Energy
VCC=600V,IC=75A
RG =7.5Ω,
VGE=±15V,
Inductive Load
TJ=125℃
11
tf
Fall Time
TJ=25℃
100
TJ=125℃
180
TJ=150℃
12
Eoff
Turn off Energy
TJ=125℃
350
TJ=150℃
360
td(off)
Turn off Delay Time
VCC=600V,IC=75A
RG =7.5Ω,
VGE=±15V,
Inductive Load
TJ=25℃
300
tr
Rise Time
TJ=25℃
38
TJ=125℃
42
TJ=150℃
220
140
TJ=150℃
150
td(on)
Turn on Delay Time
VCC=600V,IC=75A
RG =7.5Ω,
VGE=±15V,
Inductive Load
TJ=25℃
120
TJ=125℃
TJ=150℃
44
Cies
Input Capacitance
VCE=25V, VGE=0V, f =1MHz
5
Cres
Reverse Transfer Capacitance
220
400
1
mA
VCE=1200V, VGE=0V, TJ=150℃
10
Qg
Gate Charge
VCE=600V, IC=75A , VGE=15V
0.4
Rgint
Integrated Gate Resistor
5
ICES
Collector Leakage Current
VCE=1200V, VGE=0V, TJ=25℃
IGES
Gate Leakage Current
VCE=0V,VGE=±20V, TJ=25℃
-400
V
VCE(sat)
Collector - Emitter
Saturation Voltage
IC=75A, VGE=15V, TJ=25℃
1.8
2.25
IC=75A, VGE=15V, TJ=125℃
2.1
VGE(th)
Gate Emitter Threshold Voltage
VCE=VGE, IC=3mA
5.0
5.8
6.5
IC=75A, VGE=15V, TJ=150℃
2.15
MMG75J120U6TC
IGBT
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T C =25°C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter/Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
2



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