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IXFN23N100 データシート(PDF) 4 Page - IXYS Corporation |
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IXFN23N100 データシート(HTML) 4 Page - IXYS Corporation |
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4 / 4 page ![]() fuvp=jlpcbqp=~åÇ=fd_që=~êÉ=ÅçîÉêÉÇ=Äó=çåÉ=çê=ãçêÉ=çÑ=íÜÉ=ÑçääçïáåÖ=rKpK=é~íÉåíëW QIUPRIRVO QIUUNINMS RIMNTIRMU RIMQVIVSN RINUTINNT RIQUSITNR QIURMIMTO QIVPNIUQQ RIMPQITVS RIMSPIPMT RIOPTIQUN RIPUNIMOR IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions. V SD - Volts 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 0 10 20 30 40 50 Case Temperature - oC -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 0 5 10 15 20 25 30 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 0.001 0.010 0.100 V DS - Volts 0 5 10 15 20 25 30 35 40 100 1000 10000 Gate Charge - nC 0 50 100 150 200 250 300 350 0 3 6 9 12 15 Crss Coss Ciss VDS = 500 V ID = 12 A IG = 10 mA f = 1MHz TJ = 125 oC TJ = 25 oC 0.300 20000 Figure 6. Gate Charge Figure 7. Capacitance Curves Figure 8. Forward Voltage Drop of the Intrinsic Diode Figure9. Drain Current vs. Case Temperature Figure 10. Transient Thermal Resistance IXFN 23N100 IXFN 24N100 |
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