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14N65L-TQ2-R データシート(PDF) 7 Page - Unisonic Technologies

部品番号 14N65L-TQ2-R
部品情報  14A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET
PDF  9 Pages
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メーカー  UTC [Unisonic Technologies]
ホームページ  http://www.utc-ic.com
Logo UTC - Unisonic Technologies

14N65L-TQ2-R データシート(HTML) 7 Page - Unisonic Technologies

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14N65-TC
Power MOSFET
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
7 of 9
www.unisonic.com.tw
QW-R205-452.C
TYPICAL CHARACTERISTICS
Drain-Source Voltage, VDS (V)
Drain-Source On-Resistance vs.
Gate-Source Voltage
Gate-Source Voltage, VGS (V)
Gate Charge Characteristics
Total Gate Charge, QG (nC)
0
2
4
6
12
10
8
Drain-Source On-Resistance vs.
Junction Temperature
Junction Temperature, TJ (°C)
4.5V
ID=7A
14A
Note:
1.TA=25°C
2.Pulse test
Breakdown Voltage vs. Junction
Temperature
Junction Temperature, TJ (°C)
-50
0
50
150
100
Drain Current vs. Drain-Source
Voltage
VGS=6~10V
Note:
1.TA=25°C
2.Pulse test
VDS=300V
VGS=10V
ID=10A
Pulsed
5V
VGS=10V
ID=7A
Pulsed
ID=0.25mA
Pulsed
0
10
20
40
30
-50
0
50
150
100
0
4
8
12
16
20
4
0
3
2
1
0.8
1
1.2
1.1
4V
5
15
35
25
0.9
0
4
8
12
24
20
16
1
1.6
0
0.2
1.4
0.4
1.2
0.6
0
2
4
6
8
10
0.8
Drain-Source Voltage, VDS (V)
Capacitance Characteristics
10
1000
1
100
CISS
COSS
CRSS
0
10
20
30
40
50
5000



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