STP26N65DM2 datasheet(1/13 Pages) STMICROELECTRONICS

部品番号	STP26N65DM2

部品情報	N-channel 650 V, 0.156 Ω typ., 20 A, MDmesh™ DM2 Power MOSFET in a TO-220 package

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メーカー	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

ホームページ	http://www.st.com

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1

2

3

TO-220

TAB

D(2, TAB)

G(1)

S(3)

AM01475V1

Features

Order code

VDS

RDS(on) max.

ID

PTOT

STP26N65DM2

650 V

0.190 Ω

20 A

170 W

•

Fast-recovery body diode

•

Extremely low gate charge and input capacitance

•

Low on-resistance

•

100% avalanche tested

•

Extremely high dv/dt ruggedness

•

Zener-protected

Applications

•

Switching applications

Description

This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast-

recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined

with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency

converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Product status link

STP26N65DM2

Product summary

Order code

STP26N65DM2

Marking

26N65DM2

Package

TO-220

Packing

Tube

N-channel 650 V, 0.156 Ω typ., 20 A, MDmesh™ DM2

Power MOSFET in a TO-220 package

STP26N65DM2

Datasheet

DS12621 - Rev 1 - July 2018

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