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ISC750P10LM データシート(PDF) 4 Page - Infineon Technologies AG

部品番号 ISC750P10LM
部品情報  OptiMOSTM Power-Transistor, -100 V
PDF  11 Pages
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メーカー  INFINEON [Infineon Technologies AG]
ホームページ  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG

ISC750P10LM データシート(HTML) 4 Page - Infineon Technologies AG

  ISC750P10LM Datasheet HTML 1Page - Infineon Technologies AG ISC750P10LM Datasheet HTML 2Page - Infineon Technologies AG ISC750P10LM Datasheet HTML 3Page - Infineon Technologies AG ISC750P10LM Datasheet HTML 4Page - Infineon Technologies AG ISC750P10LM Datasheet HTML 5Page - Infineon Technologies AG ISC750P10LM Datasheet HTML 6Page - Infineon Technologies AG ISC750P10LM Datasheet HTML 7Page - Infineon Technologies AG ISC750P10LM Datasheet HTML 8Page - Infineon Technologies AG ISC750P10LM Datasheet HTML 9Page - Infineon Technologies AG Next Button
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background image
4
OptiMOSTMPower-Transistor,-100V
ISC750P10LM
Rev.2.0,2022-10-13
Final Data Sheet
3Electricalcharacteristics
atTj=25°C,unlessotherwisespecified
Table4Staticcharacteristics
Values
Min.
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Unit Note/TestCondition
Drain-source breakdown voltage
V(BR)DSS
-100
-
-
V
VGS=0V,ID=-250µA
Gate threshold voltage
VGS(th)
-1
-1.6
-2
V
VDS=VGS,ID=-2304µA
Zero gate voltage drain current
IDSS
-
-
-0.1
-10
-1
-100
µA
VDS=-100V,VGS=0V,Tj=25°C
VDS=-100V,VGS=0V,Tj=125°C
Gate-source leakage current
IGSS
-
-10
-100
nA
VGS=-20V,VDS=0V
Drain-source on-state resistance
RDS(on)
-
-
61
63
75
86
m
Ω
VGS=-10V,ID=-25A
VGS=-4.5V,ID=-20A
Gate resistance
RG
-
5.2
-
Ω
-
Transconductance
gfs
-
51
-
S
|VDS|
≥2|ID|RDS(on)max,ID=-25A
Table5Dynamiccharacteristics
Values
Min.
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Unit Note/TestCondition
Input capacitance
1)
Ciss
-
3600
4700
pF
VGS=0V,VDS=-50V,f=1MHz
Output capacitance
1)
Coss
-
230
300
pF
VGS=0V,VDS=-50V,f=1MHz
Reverse transfer capacitance
1)
Crss
-
50
88
pF
VGS=0V,VDS=-50V,f=1MHz
Turn-on delay time
td(on)
-
35.6
-
ns
VDD=-50V,VGS=-4.5V,ID=-25A,
RG,ext=1.6
Ω
Rise time
tr
-
47.2
-
ns
VDD=-50V,VGS=-4.5V,ID=-25A,
RG,ext=1.6
Ω
Turn-off delay time
td(off)
-
100
-
ns
VDD=-50V,VGS=-4.5V,ID=-25A,
RG,ext=1.6
Ω
Fall time
tf
-
24.8
-
ns
VDD=-50V,VGS=-4.5V,ID=-25A,
RG,ext=1.6
Ω
Table6Gatechargecharacteristics2)
Values
Min.
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Unit Note/TestCondition
Gate to source charge
Qgs
-
-11
-
nC
VDD=-50V,ID=-25A,VGS=0to-4.5V
Gate charge at threshold
Qg(th)
-
-5.7
-
nC
VDD=-50V,ID=-25A,VGS=0to-4.5V
Gate to drain charge
1)
Qgd
-
-23
-35
nC
VDD=-50V,ID=-25A,VGS=0to-4.5V
Switching charge
Qsw
-
-29
-
nC
VDD=-50V,ID=-25A,VGS=0to-4.5V
Gate charge total
1)
Qg
-
-46
-58
nC
VDD=-50V,ID=-25A,VGS=0to-4.5V
Gate plateau voltage
Vplateau
-
-3.1
-
V
VDD=-50V,ID=-25A,VGS=0to-4.5V
Gate charge total
1)
Qg
-
-92
-122
nC
VDD=-50V,ID=-25A,VGS=0to-10V
Output charge
1)
Qoss
-
-28.3
-38
nC
VDS=-50V,VGS=0V
1) Defined by design. Not subject to production test.
2) See
″Gate charge waveforms″ for parameter definition



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