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ISCF8001 データシート(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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1 / 5 page ![]() ISCF8001 SiC N-Channel MOSFET www.iscsemi.com 2023-8-18 1 FEATURES · High Blocking Voltage with Low On-Resistance · RDS(ON)= 0.75Ω@VGS=20V Tj=25℃ · Low Capacitances · Avalanche Ruggednes APPLICATIONS · Solar Inverters · Switch Mode Power Supplies · High Voltage DC-DC Converters · Batterry Chargers Absolute Maximum Ratings(TC=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage 1700 V VGSS Gate-Source Opetation Voltage -5/+20 V ID Drain Current-Continuous 5 A Drain Current-Continuous@Tc=100℃ 3.5 A IDM Drain Current-Single Pluse 15 A PD Total Dissipation @TC=25℃ 69 W TJ Max. Operating Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55~150 ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case 1.8 ℃ /W |
同様の部品番号 - ISCF8001 |
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同様の説明 - ISCF8001 |
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