B2D30120HC1 datasheet(1/7 Pages) BASICSEMI

部品番号	B2D30120HC1

部品情報	SiC Schottky Diode

PDF	7 Pages

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メーカー	BASICSEMI [BASIC SEMICONDUCTOR]

ホームページ	https://www.basicsemi.com/

Logo

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2

backside

3

1

B2D30120HC1

SiC Schottky Diode

V

RRM

1200 V

30 A**

178 nC**

I

F (TC=155°C)

Q

C

Package: TO-247-3

Product Summary

2

3

1

1 / 7

www.basicsemi.com

Electrical Connection

Features



Benefits

Low leakage current (I

R)

Zero reverse recovery current

Temperature independent switching behavior

Positive temperature coefficient on V

F

High surge current capacity



Low capacitive charge



System cost savings due to smaller magnetics

System efficiency improvement over Si diodes

Reduction of heat sink requirements



Switch mode power supplies (SMPS)

Uninterruptible power supplies



Server/telecom power supplies

Power factor correction



Solar

Enabling higher frequency

Reduced EMI

Applications



Pin1 - Anode

Pin2 and backside - Cathode



Pin3 - Anode

Package Pin Definitions

Package Parameters

Part Number

Marking

Package

B2D30120HC1

TO-247-3

* Per Leg, ** Per Device

Rev. 1.2

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メーカー	部品番号	データシート	部品情報
BASIC SEMICONDUCTOR	B2D30120H1	1Mb / 7P	SiC Schottky Diode Rev. 0.3

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	B1D10065E	2Mb / 7P	SiC Schottky Diode Rev. 1.2
	B1D10065F	820Kb / 7P	SiC Schottky Diode Rev. 1.2
	B1D10065H	1Mb / 7P	SiC Schottky Diode Rev. 2.4
	B1D10065K	1Mb / 7P	SiC Schottky Diode Rev. 2.2
	B1D12065K	1Mb / 7P	SiC Schottky Diode Rev. 1.3
	B1D15065K	1Mb / 7P	SiC Schottky Diode Rev. 1.4
	B1D30065HC	1Mb / 7P	SiC Schottky Diode Rev. 0.2

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