TIP122FP datasheet(2/6 Pages) STMICROELECTRONICS

部品番号	TIP122FP

部品情報	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

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メーカー	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

ホームページ	http://www.st.com

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THERMAL DATA

Rthj-case

Rthj-amb

Thermal Resistance Junction-case

Max

Thermal Resistance Junction-ambient

Max

4.3

62.5

oC/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25

oC unless otherwise specified)

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

ICEO

Collector Cut-off

Current (IB = 0)

VCE = 50 V

0.5

ICBO

Collector Cut-off

Current (IE = 0)

VCB = 100 V

0.2

IEBO

Emitter Cut-off Current

(IC = 0)

VEB = 5 V

VCEO(sus)* Collector-Emitter

Sustaining Voltage

(IB = 0)

IC = 30 mA

100

VCE(sat)*

Collector-Emitter

Saturation Voltage

IC = 3 A

IB = 12 mA

IC = 5 A

IB = 20 mA

VBE(on)*

Base-Emitter Voltage

IC = 3 A

VCE = 3 V

2.5

hFE*

DC Current Gain

IC = 0.5 A

VCE = 3 V

IC = 3 A

VCE = 3 V

1000

∗ Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 %.

For PNP types voltage and current values are negative.

Safe Operating Area

Derating Curve

TIP122FP / TIP127FP

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