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DTA114E-AE3-R データシート(PDF) 2 Page - Unisonic Technologies |
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DTA114E-AE3-R データシート(HTML) 2 Page - Unisonic Technologies |
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2 / 3 page ![]() DTA114E PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2 www.unisonic.com.tw QW-R206-046,C ABSOLUATE MAXIUM RATINGS (Ta = 25℃) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta= 25℃, unless otherwise specified.) PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT VIN(off) VCC= -5V, IOUT= -100μA -0.5 Input Voltage VIN(ON) VOUT= -0.3V, IOUT= -10mA -3 V Output Voltage VOUT(ON) IOUT/IIN= -10mA/-0.5 mA -0.3 V Input Current IIN VIN= -5V -0.88 mA Output Current IOUT(off) VCC= -50V , VIN=0V -0.5 μA DC Current Gain GV VOUT= -5V, IOUT= -5mA 30 Input Resistance R1 7 10 13 kΩ Resistance Ratio R2/R1 0.8 1 1.2 Transition Frequency fT VCE= -10 V, IE=5mA, f=100MHz 250 MHz PARAMETER SYMBOL RATINGS UNIT Supply Voltage VCC -50 V Input Voltage VIN -40 ~ +10 V Output Current IOUT(MAX) -100 mA Power Dissipation PD 200 mW Junction Temperature TJ 150 ℃ Storage Temperature TSTG -40 ~ +150 ℃ |
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