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ISCF8013 データシート(PDF) 3 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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ISCF8013 データシート(HTML) 3 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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3 / 4 page ![]() ISCF8013 eq C3M0065100J SiC N-Channel MOSFET www.iscsemi.com 3 SOURCE-DRAIN BODY DIODE CHARACTERISTICS Drain - Source Body Diode Characteristics VSD Diode Forward Voltage ISD= 10A; VGS= -4V -- 4.8 -- V VSD Diode Forward Voltage ISD=10A; VGS= -4V TJ=150℃ -- 4.4 -- V trr Reverse Recovery Time VGS = -4V, ISD = 20A, VR = 700V, dif/dt=4500A/µs, TJ=150℃ -- 14 -- ns Qrr Reverse Recovery Charge -- 310 -- uC Irrm Peak Reverse Recovery Current -- 34 -- A Package Dimensions (UNIT: MM): |
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