FQP9N25 datasheet(1/2 Pages) ISC

部品番号	FQP9N25

部品情報	isc N-Channel MOSFET Transistor

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メーカー	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

ホームページ	http://www.iscsemi.cn

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isc N-Channel MOSFET Transistor

FQP9N25

www.iscsemi.com

2023-10-11

1

FEATURES

·Drain Current -ID=9.4A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS=250V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) =0.42Ω(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·

Motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VDSS

Drain-Source Voltage

250

V

VGS

Gate-Source Voltage-Continuous

±

30

V

ID

Drain Current-Continuous

9.4

A

IDM

Drain Current-Single Pluse

37.6

A

PD

Total Dissipation @TC=25℃

90

W

TJ

Max. Operating Junction Temperature

150

℃

Tstg

Storage Temperature

-55~150

℃

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Rth j-c

Thermal Resistance, Junction to Case

1.39

℃

/W

同様の部品番号 - FQP9N25

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Fairchild Semiconductor	FQP9N25	713Kb / 8P	250V N-Channel MOSFET
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