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2DB1182Q データシート(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2DB1182Q データシート(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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1 / 2 page ![]() www.iscsemi.com 1 isc Silicon PNP Power Transistor 2DB1182Q DESCRIPTION · Low saturation voltage · High reliability · High Continuous Collector Current APPLICATIONS · Power Switching or Amplification ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-a Thermal Resistance,Junction to Ambient 104 ℃ /W SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -32 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current-Continuous -2 A ICM Collector Current-Peak -3 A PD Power Dissipation @TC=25℃ 1.2 W TJ Max.Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55~150 ℃ |
同様の部品番号 - 2DB1182Q |
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同様の説明 - 2DB1182Q |
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