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IXFN120N20 データシート(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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IXFN120N20 データシート(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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1 / 3 page ![]() ISFM1099 eq IXFN120N20 N-Channel MOSFET www.iscsemi.com 1 DESCRIPTION · Drain Current -ID= 120A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 200V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 17mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · DC-DC converters · DC choppers · Battery chargers · Temperature and lighting controls · Switched-mode and resonant-mode power supplies ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 200 V VGSS Gate-Source Voltage Continuous ± 20 V ID Drain Current-continuous@ TC=25℃ 120 A IDM Pulse Drain Current 480 A PD Total Dissipation@TC=25℃ 600 W TJ Max. Operating Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ D G S S SOT-227 package |
同様の部品番号 - IXFN120N20 |
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同様の説明 - IXFN120N20 |
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