STB33N60DM2 datasheet(1/2 Pages) ISC

部品番号	STB33N60DM2

部品情報	N-Channel MOSFET Transistor

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メーカー	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

ホームページ	http://www.iscsemi.cn

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ISF1137

eq STB33N60DM2

N-Channel MOSFET Transistor

www.iscsemi.com

1

FEATURES

· Drain Current -ID= 24A@ TC=25℃

· Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min)

· Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 0.13Ω(Max)@VGS= 10V

· Fast-recovery body diode

APPLICATIONS

· Switching applications

Absolute Maximum Ratings(TC=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VDSS

Drain-Source Voltage

600

V

VGS

Gate-Source Voltage-Continuous

±

25

V

ID

Drain Current-Continuous

24

A

IDM

Drain Current-Single Pulse

96

A

PD

Total Dissipation @TC=25℃

190

W

TJ

Max. Operating Junction Temperature

150

℃

Tstg

Storage Temperature

-55~150

℃

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Rth j-c

Thermal Resistance, Junction to Case

0.66

℃

/W

同様の部品番号 - STB33N60DM2

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
STMicroelectronics	STB33N60DM2	1Mb / 20P	N-channel 600 V, 0.110 Ω typ., 24 A MDmesh™ DM2 Power MOSFET in D²PAK, TO-220 and TO-247 packages November 2015 Rev 2

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メーカー	部品番号	データシート	部品情報
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	IPD040N03L	334Kb / 2P	N-Channel MOSFET Transistor
	IPD50R399CP	335Kb / 2P	N-Channel MOSFET Transistor
	IPD50R800CE	335Kb / 2P	N-Channel MOSFET Transistor
	IPD088N06N3	336Kb / 2P	N-Channel MOSFET Transistor
	IPD090N03L	335Kb / 2P	N-Channel MOSFET Transistor
	IPP039N04L	339Kb / 2P	N-Channel MOSFET Transistor
	IPP070N08N3	339Kb / 2P	N-Channel MOSFET Transistor
	IRF3256	339Kb / 2P	N-Channel MOSFET Transistor
	IRL1404	339Kb / 2P	N-Channel MOSFET Transistor