2SA2207-252 datasheet(1/2 Pages) ISC

部品番号	2SA2207-252

部品情報	Silicon PNP Power Transistor

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メーカー	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

ホームページ	http://www.iscsemi.cn

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Silicon PNP Power Transistor

2SA2207

www.iscsemi.com

1

DESCRIPTION

·

Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= -50V(Min)

·

DC Current Gain-

: hFE= 200(Min)@ IC= -270mA

·

Fast switching speed

·

Large current capacity

APPLICATIONS

·

Power amplifier applications

·

Driver stage amplifier applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage

-50

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

-50

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

-6

V

IC

Collector Current-Continuous

-13

A

ICP

Collector Current-Continuous Pulse

-15

A

PC

Total Power Dissipation

@ TC=25℃

20

W

TJ

Junction Temperature

150

℃

Tstg

Storage Temperature Range

-55~150

℃

同様の部品番号 - 2SA2207-252

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Inchange Semiconductor ...	2SA2207-251	295Kb / 2P	Silicon PNP Power Transistor

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メーカー	部品番号	データシート	部品情報
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Microsemi Corporation	2N5151	60Kb / 2P	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
Inchange Semiconductor ...	2SA1303	106Kb / 2P	Silicon PNP Power Transistor
Inchange Semiconductor ...	2SA1741	164Kb / 3P	Silicon PNP Power Transistor
New Jersey Semi-Conduct...	2SA1880	76Kb / 2P	Silicon PNP Power Transistor
	2SA1939	75Kb / 2P	Silicon PNP Power Transistor
	2SA1941	74Kb / 2P	Silicon PNP Power Transistor
	2SA1943	81Kb / 2P	Silicon PNP Power Transistor
	2SA1986	75Kb / 2P	Silicon PNP Power Transistor
	BDY83	76Kb / 2P	Silicon PNP Power Transistor