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PHT11N06 データシート(PDF) 4 Page - NXP Semiconductors

部品番号 PHT11N06
部品情報  TrenchMOS transistor Standard level FET
PDF  10 Pages
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メーカー  PHILIPS [NXP Semiconductors]
ホームページ  http://www.nxp.com
Logo PHILIPS - NXP Semiconductors

PHT11N06 データシート(HTML) 4 Page - NXP Semiconductors

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background image
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
™ transistor
PHT11N06T
Standard level FET
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
⋅P
D/PD 25 ˚C = f(Tsp)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
⋅I
D/ID 25 ˚C = f(Tsp); conditions: VGS ≥ 10 V
Fig.3. Safe operating area. T
sp = 25 ˚C
I
D & IDM = f(VDS); IDM single pulse; parameter tp
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-sp = f(t); parameter D = tp/T
Fig.5. Typical output characteristics, T
j = 25 ˚C.
I
D = f(VDS); parameter VGS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j = 25 ˚C.
R
DS(ON) = f(ID); parameter VGS
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1E-07
1E-05
1E-03
1E-01
1E+01
t / s
Zth / (K/W)
1E+02
3E+01
1E+01
3E+00
1E+00
3E-01
1E-01
3E-02
1E-02
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
D =
tp
tp
T
T
P
t
D
BUK9840-55
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
ID%
Normalised Current Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
02
468
10
0
5
10
15
20
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
8.0
10
16
ID/A
VGS/V =
BUKX840-55
VDS/V
ID/A
1 us
10 us
100 us
1 ms
10 ms
100 ms
tp =
0.1
1
10
100
0.1
1
10
55
RDS(ON) = VDS/ID
DC
0
5
10
15
20
25
0
10
20
30
40
50
60
70
80
RDS(ON)/mOhm
VGS/V =
ID/A
10
8
7
6.5
6
5.5
December 1997
4
Rev 1.100



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