| データシートサーチシステム |
|
PHT6N06LT データシート(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PHT6N06LT データシート(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
3 / 9 page ![]() Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS ™ transistor PHT6N06LT Logic level FET AVALANCHE LIMITING VALUE SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT W DSS Drain-source non-repetitive I D = 1.9 A; VDD ≤ 25 V; - - 15 mJ unclamped inductive turn-off V GS = 5 V; RGS = 50 Ω; Tsp = 25 ˚C energy January 1998 3 Rev 1.100 |
|
|
リンク URL |
| ALLDATASHEETはお客様のビジネスに役立ちますか? [ DONATE ] |
Alldatasheetは | 広告 | お問い合わせ | プライバシーポリシー | データシートへのリンク | リンク交換 | メーカーリスト All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |