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ISC079N15NM6 データシート(PDF) 8 Page - Infineon Technologies AG |
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ISC079N15NM6 データシート(HTML) 8 Page - Infineon Technologies AG |
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8 / 14 page ![]() OptiMOS™ 6 Power‑Transistor, 150 V ISC079N15NM6 Public Datasheet 8 Revision 2.0 https://www.infineon.com 2024‑04‑15 Diagram 9: Normalized drain‑source on resistance Diagram 10: Typ. gate threshold voltage R =f( ), =36 A, =10 V T I V V =f( ), = ; parameter: T V V I Diagram 11: Typ. capacitances Diagram 12: Forward characteristics of reverse diode C=f( ); =0 V; =1 MHz V V f I =f( ); parameter: V T DS(on) j D GS GS(th j GS DS D DS GS F SD j -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 200 Tj [°C] 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 200 Tj [°C] 0 1 2 3 4 5 77 µA 770 µA 0 25 50 75 100 125 150 VDS [V] 100 101 102 103 104 Ciss Coss Crss 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 VSD [V] 100 101 102 103 25 °C 25 °C. max 175 °C 175 °C. max |
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