GD30MPS12H datasheet(1/2 Pages) ISC

部品番号	GD30MPS12H

部品情報	SIC Schottky Diode

PDF	2 Pages

Scroll/Zoom	100%

メーカー	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

ホームページ	http://www.iscsemi.cn

Logo

1 / 2 page

ISCD7037

eq GD30MPS12H

SIC Schottky Diode

www.iscsemi.com

1

DESCRIPTION

· High surge current capability

· Fast Switching

· Low Thermal Resistance

APPLICATIONS

· Solar inverter

· Power Factor Correction (PFC)

· Switch mode power supply

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VRRM

Recurrent Peak Reverse Voltage

1200

V

IF

Continuous Forward Current

TC= 100℃

55

A

TC= 135℃

38

TC= 148℃

30

IFSM

Peak Forward Surge Current

tp = 10 ms,Half Sine Wave

TC = 25 ℃

240

A

TC = 150 ℃

192

Ptot

Power Dissipation

TVJ = 25℃

313

W

TJ

Junction Temperature

-55~175

℃

Tstg

Storage Temperature Range

175

℃

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

TYP

UNIT

Rth j-c

Thermal Resistance, Junction to Case

0.48

℃

/W

同様の部品番号 - GD30MPS12H

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
GeneSiC Semiconductor, ...	GD30MPS12-CAL	304Kb / 6P	1200V 30A SiC Schottky MPS??Diode

More results

同様の説明 - GD30MPS12H

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
BASIC SEMICONDUCTOR	B1D06065F	1Mb / 7P	SiC Schottky Diode Rev. 2.3
	B1D06065KF	1Mb / 7P	SiC Schottky Diode Rev. 2.2
	B1D08065KS	604Kb / 7P	SiC Schottky Diode Rev. 0.1
	B1D10065E	2Mb / 7P	SiC Schottky Diode Rev. 1.2
	B1D10065F	820Kb / 7P	SiC Schottky Diode Rev. 1.2
	B1D10065H	1Mb / 7P	SiC Schottky Diode Rev. 2.4
	B1D10065K	1Mb / 7P	SiC Schottky Diode Rev. 2.2
	B1D12065K	1Mb / 7P	SiC Schottky Diode Rev. 1.3
	B1D15065K	1Mb / 7P	SiC Schottky Diode Rev. 1.4
	B1D30065HC	1Mb / 7P	SiC Schottky Diode Rev. 0.2