| データシートサーチシステム |
|
P3C1256 データシート(PDF) 7 Page - Pyramid Semiconductor Corporation |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
P3C1256 データシート(HTML) 7 Page - Pyramid Semiconductor Corporation |
|
7 / 10 page ![]() P3C1256 Page 7 of 10 Document # SRAM122 REV B DATA RETENTION CHARACTERISTICS Symbol V DR I CCDR t CDR t R † Parameter V CC for Data Retention Data Retention Current Chip Deselect to Data Retention Time Operation Recovery Time Test Conditons CE ≥ V CC –0.2V, V IN ≥ VCC –0.2V or V IN ≤ 0.2V Min 2.0 0 t RC § Typ.* V CC = 2.0V 3.0V Max V CC = 2.0V 3.0V Unit 10 15 600 900 V µA ns ns *T A = +25°C §t RC = Read Cycle Time † This parameter is guaranteed but not tested. DATA RETENTION WAVEFORM TSOP PIN CONFIGURATION |
|
|
リンク URL |
| ALLDATASHEETはお客様のビジネスに役立ちますか? [ DONATE ] |
Alldatasheetは | 広告 | お問い合わせ | プライバシーポリシー | データシートへのリンク | リンク交換 | メーカーリスト All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |