SPL LL90_3

2007-04-04

3

Optische Kennwerte (

T

Optical Characteristics

Parameter

Parameter

Symbol

Symbol

Werte

Values

Einheit

Unit

min.

typ.

max.

Zentrale Emissionswellenlänge

1)

Emission wavelength

1)

λ

895

905

915

nm

Spektralbreite (Halbwertsbreite)

1)

Spectral width (FWHM)

1)

Δλ

–

7

–

nm

Spitzenausgangsleistung

1)

Peak output power

1)

P

opt

60

70

80

W

Ladespannung an der Laserschwelle

Charge Voltage at laser threshold

U

C, th

4.0

4.5

5.0

V

Pulsbreite (Halbwertsbreite)

1), 2)

Pulse width (FWHM)

1), 2)

t

p

37

40

43

ns

Anstiegs- und Abfallzeit (10% … 90%)

1), 2)

Rise and fall time (10% … 90%)

1), 2)

t

t

f

7

40

10

45

13

50

ns

ns

Jitter (bzgl. Triggersignal und optischem Puls)

Jitter (regarding trigger signal and optical pulse)

t

j

170

500

ps

Austrittsöffnung

Aperture size

–

200

× 10 –

Strahldivergenz (Halbwertsbreite) parallel zum

pn-Übergang

1)

Beam divergence (FWHM) parallel to pn junction

1)

θ

||

12

15

18

Grad

deg.

Strahldivergenz (Halbwertsbreite) senkrecht zum

pn-Übergang

1)

Beam divergence (FWHM) perpendicular to pn-junction

1)

27

30

33

Grad

deg.

Temperaturkoeffizient der Wellenlänge

Temperature coefficient of wavelength

–

0.30

0.33

nm/K

Thermischer Widerstand

Thermal resistance

R

th

–

200

–

K/W

Einschaltpunkt der Gate-Spannung

Switch on gate voltage

V

G on

–

5.0

–

V

1)

Werte beziehen sich auf folgende Standardbetriebsbedingung: >50 ns Pulsbreite, 1 kHz Pulswiederholrate, 18.5 V Ladespannung, 15

V Gate-Spannung und 25°C Umgebungstemperatur. Der Laser wird angesteuert mit dem MOSFET-Treiber Elantec EL7104C.

Values refer to the following standard operating conditions: >50 ns pulse width, 1 kHz pulse repetition rate, 18.5 V charge voltage, 15

V gate voltage and 25 °C ambient temperature. The laser is driven by the MOSFET driver Elantec EL7104C.

2)

Die Schaltgeschwindigkeit ist abhängig von Strom und Geschwindigkeit, mit der die Gate-Kapazität (typ. 300 pF) des internen

Transistors geladen wird. Kürzere Pulsbreiten, Anstiegs- und Abfallzeiten erhält man bei Trigger-Pulsbreiten <50 ns. Dies bewirkt

jedoch auch eine reduzierte optische Spitzenleistung.

Switching speed at gate depends on current and speed, charging the gate capacitance (typ. 300 pF) of the internal transistor. Reduced

pulse widths, rise and fall times occur at trigger pulse widths <50 ns. This also reduces the optical peak power.