2SA1796 datasheet(1/2 Pages) ISC

部品番号	2SA1796

部品情報	Silicon PNP Power Transistor

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メーカー	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

ホームページ	http://www.iscsemi.cn

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Silicon PNP Power Transistor

2SA1796

www.iscsemi.com

1

DESCRIPTION

· Collector-Emitter Breakdown Voltage

-V(BR)CEO= -40V(Min)

· Collector-Emitter Saturation Voltage

-VCE(sat): -0.3V(Max) @IC= -3.5A

APPLICATIONS

·

Power Switch Drive

·

Switching Power Supply

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage

-60

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

-40

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

-7

V

IC

Collector Current-Continuous

-7

A

ICP

Collector Current-Pulse

-14

A

IB

Base Current DC

-1.5

A

IBP

Base Current Peak

-2

A

PC

Collector Power Dissipation

10

W

TJ

Junction Temperature

150

℃

Tstg

Storage Temperature

-55~150

℃

同様の部品番号 - 2SA1796

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Shindengen Electric Mfg...	2SA1796	407Kb / 9P	Switching Power Transistor(-7A PNP)

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メーカー	部品番号	データシート	部品情報
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Inchange Semiconductor ...	2SA1741	164Kb / 3P	Silicon PNP Power Transistor
New Jersey Semi-Conduct...	2SA1880	76Kb / 2P	Silicon PNP Power Transistor
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	2SA1941	74Kb / 2P	Silicon PNP Power Transistor
	2SA1943	81Kb / 2P	Silicon PNP Power Transistor
	2SA1986	75Kb / 2P	Silicon PNP Power Transistor
	BDY83	76Kb / 2P	Silicon PNP Power Transistor