STPS1045D datasheet(4/8 Pages) STMICROELECTRONICS

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Characteristics

STPS1045

4/8

Figure 7.

Relative variation of thermal

transient impedance junction to

case versus pulse duration

(TO-220AC)

Figure 8.

Relative variation of thermal

transient impedance junction to

case versus pulse duration

(TO-220FPAC)

1E-4

1E-3

1E-2

1E-1

1E+0

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

Z/R

th(j-c)

δ=tp/T

t (s)

δ = 0.5

δ = 0.2

δ = 0.1

Single pulse

1E-3

1E-2

1E-1

1E+0

1E+1

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

Z/R

th(j-c)

δ=tp/T

t (s)

δ = 0.5

δ = 0.2

δ = 0.1

Single pulse

Figure 9.

Reverse leakage current versus

reverse voltage applied (typical

values)

Figure 10.

Reverse leakage current versus

reverse voltage applied (typical

values)

Figure 11.

Forward voltage drop versus

forward current (maximum values)

1E-1

1E+0

1E+1

1E+2

1E+3

1E+4

1E+5

I (µA)

V (V)

T =125°C

T =150°C

T =100°C

T =25°C

T =50°C

T =75°C

100

200

500

1000

C(pF)

V (V)

F=1MHz

=30mV

T =25°C

OSC

RMS

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

0.1

1.0

10.0

100.0

(A)

T =125°C

(typical values)

T =25°C

T =125°C

(V)

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