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STB75NF75L データシート(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
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STB75NF75L データシート(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
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5 / 13 page ![]() STB75NF75L Electrical characteristics 5/13 Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min Typ. Max Unit ISD Source-drain current 75 A ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current (pulsed) 300 A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration=300µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD = 75A, VGS = 0 1.3 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 75A, di/dt = 100A/µs, VDD = 24V, TJ = 150°C see Figure 16 120 500 9 ns nC A |
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