STPS10L25D datasheet(3/5 Pages) STMICROELECTRONICS

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STPS10L25D/G

3/5

1E-3

1E-2

1E-1

1E+0

100

120

140

160

180

200

IM(A)

Tc=25°C

Tc=100°C

Tc=75°C

t(s)

δ=0.5

Fig. 5: Non repetitive surge peak forward current

versus overload duration (maximum values).

1E-2

1E-1

1E+0

1E+1

1E+2

5E+2

IR(mA)

Tj=125°C

Tj=25°C

Tj=150°C

VR(V)

Fig. 7: Reverse leakage current versus reverse

voltage applied (typical values).

1E-4

1E-3

1E-2

1E-1

1E+0

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

tp(s)

Zth(j-c)/Rth(j-c)

Single pulse

δ = 0.1

δ = 0.2

δ = 0.5

δ=tp/T

Fig. 6: Relative variation of thermal impedance

junction to case versus pulse duration.

0.1

1.0

5.0

VR(V)

C(nF)

F=1MHz

Tj=25°C

Fig. 8: Junction capacitance versus reverse

voltage applied (typical values).

0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

0.1

1.0

10.0

100.0

IFM(A)

VFM(V)

Typical values

Tj=150°C

Tj=125°C

Tj=25°C

Fig. 9: Forward voltage drop versus forward

current (maximum values).

16202428323640

S(Cu) (cm²)

Rth(j-a) (°C/W)

Fig. 10: Thermal resistance junction to ambient

versus copper surface under tab (Epoxy printed

circuit board FR4, copper thickness : 35 µm).

(STPS10L25G only)

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