STPS20L60CT datasheet(3/6 Pages) STMICROELECTRONICS

3 / 6 page

STPS20L60CT/CG/CR

3/6

1E-3

1E-2

1E-1

1E+0

100

120

140

160

180

200

IM(A)

t(s)

δ=0.5

Tc=25°C

Tc=75°C

Tc=100°C

Fig. 5: Non repetitive surge peak forward current

versus overload duration (maximum values, per

diode).

1E-4

1E-3

1E-2

1E-1

1E+0

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

Zth(j-c)/Rth(j-c)

tp(s)

δ=tp/T

δ = 0.5

δ = 0.2

δ = 0.1

Single pulse

Fig. 6: Relative variation of thermal transient

impedance junction to case versus pulse duration.

10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60

1E-3

1E-2

1E-1

1E+0

1E+1

1E+2

5E+2

IR(mA)

VR(V)

Tc=25°C

Tc=75°C

Tc=100°C

Tc=125°C

Tc=150°C

Tc=50°C

Fig. 7: Reverse leakage current versus reverse

voltage applied (typical values, per diode).

100

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

C(nF)

VR(V)

F=1MHz

Tj=25°C

Fig. 8: Junction capacitance versus reverse

voltage applied (typical values, per diode).

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

100

125

150

T (°C)

P(t )

(25°C)

ARM p

ARM

Fig. 4: Normalized avalanche power derating

versus junction temperature.

0.001

0.01

0.1

0.01

0.1

100

1000

t (µs)

P(t )

(1µs)

ARM p

ARM

Fig. 3: Normalized avalanche power derating

versus pulse duration.

STPS20L60CT データシート(PDF) 3 Page - STMicroelectronics

STPS20L60CT データシート(HTML) 3 Page - STMicroelectronics

Html Pages

1 2 3 4 5 6

データシートダウンロード

リンク URL

STPS20L60CT データシート(PDF) 3 Page - STMicroelectronics

STPS20L60CT データシート(HTML) 3 Page - STMicroelectronics

Html Pages

1 2 3 4 5 6

データシート ダウンロード

リンク URL

データシートダウンロード