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BDT65AF データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

部品番号 BDT65AF
部品情報  isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
PDF  2 Pages
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メーカー  ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
ホームページ  http://www.iscsemi.cn
Logo ISC - Inchange Semiconductor Company Limited

BDT65AF データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

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background image
INCHANGE Semiconductor
isc Product Specification
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
BDT65F/AF/BF/CF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25℃ unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP.
MAX
UNIT
BDT65F
60
BDT65AF
80
BDT65BF
100
V(BR)CEO
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
BDT65CF
IC= 30mA ;IB=0
B
120
V
VCE(sat)-1
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC= 5A; IB= 20mA
B
2.0
V
VCE(sat)-2
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC= 10A; IB= 100mA
3.0
V
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
IC= 5A ; VCE= 4V
2.5
V
VECF
C-E Diode Forward Voltage
IF= 5A
2.0
V
ICEO
Collector Cutoff Current
VCE=
1/
2VCEOmax; IB= 0
1
mA
ICBO
Collector Cutoff Current
VCB= VCBOmax;IE= 0
VCB=
1/
2VCBOmax;IE= 0;TC= 150℃
0.4
2.0
mA
IEBO
Emitter Cutoff Current
VEB= 5V; IC=0
5
mA
hFE-1
DC Current Gain
IC= 1A ; VCE= 4V
1500
hFE-2
DC Current Gain
IC= 5A ; VCE= 4V
1000
hFE-3
DC Current Gain
IC= 12A ; VCE= 4V
1500
COB
Output Capacitance
IE= 0 ; VCB= 10V; ftest=1MHz
200
pF
Switching times
ton
Turn-On Time
1
2.5
μs
toff
Turn-Off Time
IC= 5A; IB1= -IB2= 20mA;
VCC= 30V
6
10
μs
isc Website：www.iscsemi.cn
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