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2N3715 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

部品番号 2N3715
部品情報  isc Silicon NPN Power Transistors
PDF  2 Pages
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メーカー  ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
ホームページ  http://www.iscsemi.cn
Logo ISC - Inchange Semiconductor Company Limited

2N3715 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor
isc Product Specification
isc Website：www.iscsemi.cn
2
isc Silicon NPN Power Transistors
2N3715/3716
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25℃ unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP.
MAX
UNIT
2N3715
60
VCEO(SUS)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
2N3716
IC= 200mA ; IB= 0
80
V
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC= 5A; IB= 0.5A
0.8
V
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
IC= 5A; IB= 0.5A
1.5
V
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
IC= 3A ; VCE= 2V
1.5
V
2N3715
VCE= 80V; VBE(off)= -1.5V
VCE= 60V; VBE(off)= -1.5V, TC=150℃
1.0
10
ICEX
Collector Cutoff Current
2N3716
VCE= 100V; VBE(off)= -1.5V
VCE= 80V; VBE(off)= -1.5V, TC=150℃
1.0
10
mA
IEBO
Emitter Cutoff Current
VEB= 7V; IC= 0
5.0
mA
hFE-1
DC Current Gain
IC= 1A ; VCE= 2V
50
150
hFE-2
DC Current Gain
IC= 3A ; VCE= 2V
30
fT
Current-Gain
—Bandwidth Product
IC= 0.5A ; VCE= 10V ;ftest= 1.0MHz
4
MHz
Switching Times
tr
Rise Time
0.45
μs
tstg
Storage Time
0.3
μs
tf
Fall Time
IC= 5A; IB1= -IB2= 0.5A
0.4
μs



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