2SC2026 datasheet(1/2 Pages) ISC

部品番号	2SC2026

部品情報	isc Silicon NPN RF Transistor

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メーカー	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

ホームページ	http://www.iscsemi.cn

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INCHANGE Semiconductor

isc RF Product Specification

isc Silicon NPN RF Transistor

2SC2026

DESCRIPTION

·Low Noise

NF= 3.0dB TYP. @ f= 500MHz

·High Power Gain

Gpe= 15dB TYP. @ f= 500MHz

·High Gain Bandwidth Product

fT= 2.0GHz TYP.

APPLICATIONS

·Designed for use in low noise amplifiers in the VHF~UHF

band.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage

30

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

14

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

3

V

IC

Collector Current-Continuous

50

mA

PC

Collector Power Dissipation

@TC=25℃

0.25

W

TJ

Junction Temperature

150

℃

Tstg

Storage Temperature Range

-55~150

℃

isc Website：www.iscsemi.cn

同様の部品番号 - 2SC2026

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
NEC	2SC2026	35Kb / 1P	NPN SILICON TRANSISTOR

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メーカー	部品番号	データシート	部品情報
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	BFS520	195Kb / 7P	isc Silicon NPN RF Transistor
	MMBR911L	179Kb / 5P	isc Silicon NPN RF Transistor
	MMBR941L	260Kb / 9P	isc Silicon NPN RF Transistor
	MMBR951L	178Kb / 8P	isc Silicon NPN RF Transistor
	BFG425W	292Kb / 2P	isc Silicon NPN RF Transistor
	ISC1862	302Kb / 2P	isc Silicon NPN RF Transistor
	PRF957	306Kb / 2P	isc Silicon NPN RF Transistor