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2SC4163 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

部品番号 2SC4163
部品情報  Silicon NPN Power Transistors
PDF  4 Pages
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メーカー  ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
ホームページ  http://www.iscsemi.cn
Logo ISC - Inchange Semiconductor Company Limited

2SC4163 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

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background image
Inchange Semiconductor
Product Specification
2
Silicon NPN Power Transistors
2SC4163
CHARACTERISTICS
Tj=25℃ unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP.
MAX
UNIT
V(BR)CEO
Collector-emitter breakdown voltage
IC=10mA ; RBE=∞
400
V
V(BR)CBO
Collector-base breakdown voltage
IC=1mA ; IE=0
500
V
V(BR)EBO
Emitter-base breakdown voltage
IE=1mA ; IC=0
7
V
VCEsat
Collector-emitter saturation voltage
IC=8A ;IB=1.6A
0.8
V
VBEsat
Base-emitter saturation voltage
IC=8A ;IB=1.6A
1.5
V
ICBO
Collector cut-off current
VCB=400V; IE=0
10
μA
IEBO
Emitter cut-off current
VEB=5V; IC=0
10
μA
hFE-1
DC current gain
IC=1.6A ; VCE=5V
15
50
hFE-2
DC current gain
IC=8A ; VCE=5V
10
hFE-3
DC current gain
IC=10mA ; VCE=5V
10
COB
Output capacitance
IE=0; VCB=10V;f=1MHz
160
pF
fT
Transition frequency
IC=1.6A ; VCE=10V
20
MHz
Switching times
ton
Turn-on time
0.5
μs
ts
Storage time
2.5
μs
tf
Fall time
IC=10A; IB1=2A
IB2=-4A
VCC=200V ,RL=20Ω
0.3
μs
hFE-1 Classifications
L
M
N
15-30
20-40
30-50



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