SSF4606 datasheet(2/5 Pages) SILIKRON

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SSF4606

©Silikron Semiconductor CO.,LTD.

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v1.0

VGS=0V ID=250μA

N-Ch

Drain-Source Breakdown Voltage

BVDSS

VGS=0V ID=-250μA

P-Ch

-30

VDS=24V,VGS=0V

N-Ch

Zero Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS=-24V,VGS=0V

P-Ch

-1

μA

N-Ch

±100

Gate-Body Leakage Current

IGSS

VGS=±20V,VDS=0V

P-Ch

±100

ON CHARACTERISTICS (Note 3)

VDS=VGS,ID=250μA

N-Ch

1.9

Gate Threshold Voltage

VGS(th)

VDS=VGS,ID=-250μA

P-Ch

-1.2

-2

-2.4

VGS=10V, ID=6.9A

N-Ch

22.5

VGS=-10V, ID=-6.0A

P-Ch

VGS=4.5V, ID=5A

N-Ch

34.5

Drain-Source On-State Resistance

RDS(ON)

VGS=-4.5V, ID=-5A

P-Ch

mΩ

VDS=5V,ID=6.9A

N-Ch

15.4

Forward Transconductance

gFS

VDS=-5V,ID=-6A

P-Ch

DYNAMIC PARAMETERS

N-Ch

680

Input Capacitance

Clss

P-Ch

900

N-Ch

100

Output Capacitance

Coss

P-Ch

200

N-Ch

Reverse Transfer Capacitance

Crss

N-Ch

VGS=0V, VDS=15V, f=1MHz

P-Ch

VGS=0V, VDS=-15V, f=1MHz

P-Ch

120

SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 4)

N-Ch

4.6

Turn-on Delay Time

td(on)

P-Ch

7.7

N-Ch

4.1

Turn-on Rise Time

P-Ch

5.7

N-Ch

20.6

Turn-Off Delay Time

td(off)

P-Ch

N-Ch

5.2

Turn-Off Fall Time

N-Ch

VDD=15V, RL=2.2Ω

VGEN=10V,RGEN=3Ω

P-Ch

VDD=-15V, RL=2.7Ω

VGEN=-10V,RGEN=3Ω

P-Ch

9.5

N-Ch

Total Gate Charge

P-Ch

9.6

N-Ch

1.8

Gate-Source Charge

Qgs

P-Ch

2.5

N-Ch

3.2

Gate-Drain Charge

Qgd

N-Ch

VDS=15V,ID=6.9A,

VGS=4.5V

P-Ch

VDS=-15V,ID=-6A,

VGS=-4.5V

P-Ch

4.5

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