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HFS7N80 データシート(PDF) 3 Page - SemiHow Co.,Ltd.

部品番号 HFS7N80
部品情報  800V N-Channel MOSFET
PDF  7 Pages
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メーカー  SEMIHOW [SemiHow Co.,Ltd.]
ホームページ  http://www.semihow.com
Logo SEMIHOW - SemiHow Co.,Ltd.

HFS7N80 データシート(HTML) 3 Page - SemiHow Co.,Ltd.

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◎ SEMIHOW REV.A0,July 2005
Figure 1. On Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Typical Characteristics
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
10
1
V
GS
Top :
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
※ Notes :
1. 250μ s Pulse Test
2. T
C = 25
℃
V
DS, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
150
oC
25
oC
-55
oC
※ Notes :
1. V
DS = 50V
2. 250μ s Pulse Test
V
GS, Gate-Source Voltage [V]
0
3
6
9
12
15
18
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
GS = 20V
V
GS = 10V
※ Note : T
J = 25
℃
I
D, Drain Current [A]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
-1
10
0
10
1
150 ℃
※ Notes :
1. V
GS = 0V
2. 250μ s Pulse Test
25℃
V
SD, Source-Drain voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
0
500
1000
1500
2000
2500
C
iss = Cgs + Cgd (Cds = shorted)
C
oss = Cds + Cgd
C
rss = Cgd
※ Notes :
1. V
GS = 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS, Drain-Source Voltage [V]
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
2
4
6
8
10
12
V
DS = 400V
V
DS = 160V
V
DS = 640V
※ Note : I
D = 7.0A
Q
G, Total Gate Charge [nC]



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