SSM90T03GS datasheet(4/5 Pages) SSC

部品番号	SSM90T03GS

部品情報	N-channel Enhancement-mode Power MOSFET

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メーカー	SSC [Silicon Standard Corp.]

ホームページ	http://www.siliconstandard.com

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SSM90T03GP,S

2/17/2005 Rev.2.3

Fig 7. Gate Charge Characteristics

Fig 8. Typical Capacitance Characteristics

Fig 9. Maximum Safe Operating Area

Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance

Fig 11. Switching Time Waveform

Fig 12. Gate Charge Waveform

td(on) tr

td(off) t

VDS

VGS

10%

90%

4.5V

QGS

QGD

Charge

100

1000

10000

1317212529

V DS ,Drain-to-Source Voltage (V)

f=1.0MHz

C iss

C oss

C rss

100

120

Q G , Total Gate Charge (nC)

V DS =15V

V DS =20V

V DS =24V

I D =40

100

1000

0.1

100

V DS ,Drain-to-Source Voltage (V)

T c =25

o C

Single

1ms

10ms

100m

0.01

0.1

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

t , Pulse Width (s)

PDM

Duty factor = t/T

Peak Tj = PDM x Rthjc + TC

0.02

0.01

0.05

0.1

0.2

Duty factor=0.5

Single Pulse

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