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3DFH3504Z データシート(PDF) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

部品番号 3DFH3504Z
部品情報  HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
PDF  5 Pages
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メーカー  JSMC [JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.]
ホームページ  http://www.hwdz.com.cn
Logo JSMC - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

3DFH3504Z データシート(HTML) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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background image
R
3DFH3504Z
版本：
200910C
2/5
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
注
：pulse电流宽度为小于5ms的非重复单脉冲。
Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle
< 10%.
电特性
ElECTRICAL CHARACTERISTIC
热特性
THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
符
号
Symbol
最小值
Value(min)
最大值
Value(max)
单
位
Unit
结到管壳的热阻
TO-220
Thermal Resistance Junction Case TO-220
Rth(j-c)
-
1.25
/W
℃
项
目
Parameter
符
号
Symbol
数
值
Value
单
位
Unit
集电极
—发射极直流电压
Collector- Emitter Voltage（VBE=0） VCES
550
V
集电极
—发射极直流电压
Collector- Emitter Voltage（IB=0）
VCEO
350
V
发射极
—基极直流电压
Emitter-Base Voltage
VEBO
10
V
最大集电极直流电流
Collector Current（DC）
IC
4
A
最大集电极脉冲电流
Collector Current（pulse）
ICP
8
A
最大基极直流电流
Base Current（DC）
IB
0.5
A
最大基极脉冲电流
Base Current（pulse）
IBP
2.5
A
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-220)
PC
100
W
最高结温
Junction Temperature
Tj
150
℃
贮存温度
Storage Temperature
Tstg
-55~+150
℃
项
目
Parameter
测试条件
Tests conditions
最小值
Value(min)
典型值
Value(typ)
最大值
Value(max)
单位
Unit
V(BR)CEO
IC=10mA,IB=0
350
-
-
V
V(BR)CBO
IC=1mA,IB=0
550
-
-
V
V(BR)EBO
IE=1mA,IC=0
10
-
-
V
ICBO
VCB=550V, IE=0
-
-
100
μA
ICEO
VCE=350V,IB=0
-
-
50
μA
IEBO
VEB=10V, IC=0
-
-
10
μA
Hfe(1)
VCE =3V, IC=2A
2000
-
-
Hfe(2)
VCE =3V, IC=4A
500
-
-
VCE(sat)
IC=2A, IB=20mA
-
-
1.5
V
VBE(sat)
IC=2A, IB=20mA
-
-
2.0
V
tf
-
1.5
-
μS
ts
VCC=12V IC=2A,IB1=-IB2=20mA
-
15
-
μS



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