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JCS10N60T データシート(PDF) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

部品番号 JCS10N60T
部品情報  N-CHANNEL MOSFET
PDF  10 Pages
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メーカー  JSMC [JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.]
ホームページ  http://www.hwdz.com.cn
Logo JSMC - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

JCS10N60T データシート(HTML) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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background image
R
JCS10N60T
版本：201010C
4/10
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
热特性
THERMAL CHARACTERISTIC
开关特性
Switching Characteristics
延迟时间
Turn-On delay time
td(on)
-
68
91
ns
上升时间
Turn-On rise time
tr
-
109 150
ns
延迟时间
Turn-Off delay time
td(off)
-
214 300
ns
下降时间
Turn-Off Fall time
tf
VDD=300V,ID=9.5A,RG=25Ω
（
note 4，5）
-
85 165
ns
栅极电荷总量
Total Gate Charge
Qg
-
34
45
nC
栅－源电荷
Gate-Source charge
Qgs
-
6.9
-
nC
栅－漏电荷
Gate-Drain charge
Qgd
VDS =480V ,
ID=9.5A
VGS =10V
（
note 4，5）
-
12
-
nC
漏－源二极管特性及最大额定值
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
IS
-
-
9.5
A
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
ISM
-
-
38
A
正向压降
Drain-Source Diode Forward
Voltage
VSD
VGS=0V,
IS=9.5A
-
1.05
-
V
反向恢复时间
Reverse recovery time
trr
-
425
-
ns
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
Qrr
VGS=0V, IS=9.5A
dIF/dt=100A/μs
(note 4)
-
4.31
-
μC
最大
Max
项
目
Parameter
符
号
Symbol
JCS10N60CT
JCS10N60FT
单
位
Unit
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)
0.7
2.5
℃
/W
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Rth(j-A)
62.5
62.5
℃
/W
注释：
1：脉冲宽度由最高结温限制
2：L=14.5mH, IAS=9.5A, VDD=50V, RG=25 Ω,起始
结温
TJ=25℃
3：ISD ≤9.5A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温
TJ=25℃
4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工作温度无关
Notes:
1：Pulse width limited by maximum junction
temperature
2：L=14.5mH, IAS=9.5A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting
TJ=25℃
3：ISD ≤9.5A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS, Starting
TJ=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature



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