BAS31, BAS35

Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität

35 pF

Reverse recovery time – Sperrverzug

< 50 ns

Thermal resistance junction to ambient air

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

< 400 K/W 1)

Outline – Gehäuse

Pinning – Anschlussbelegung

Marking – Stempelung

Dual diode, series connection

Doppeldiode, Reihenschaltung

1 = A1

2 = K2

3 = K1/A2

BAS31 = L21

Dual diode, common anode

Doppeldiode, gemeinsame Anode

1 = K1

2 = K2

3 = A1/A2

BAS35 = L22

1

2

http://www.diotec.com/

© Diotec Semiconductor AG

[%]

P

tot

Power dissipation versus ambient temperature )

Verlustleistung in Abh. von der Umgebungstemp. )

1

1

120

100

80

20

0

0

150

50

100

T

A

[°C]

60

40

Forward characteristics (typical values)

Durchlasskennlinien (typische Werte)

T = 25°C

j

T = 125°C

j

[A]

I

F

V

F

[V] 1.4

1.0

0.8

0.6

0.4

0

1

10

2

1

3

2

3

1