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2N5631 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2N5631 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 3 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2N5631 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=0.2A ;IB=0 140 V VCEsat-1 Collector-emitter saturation voltage IC=10A; IB=1A 1.0 V VCEsat-2 Collector-emitter saturation voltage IC=16A ;IB=4A 2.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=10A; IB=1A 1.8 V VBE Base-emitter on voltage IC=8A ; VCE=2V 1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=ratedVCBO; IE=0 2.0 mA ICEO Collector cut-off current VCE=70V; IB=0 2.0 mA ICEX Collector cut-off current VCE=ratedVCB ;VBE(off)=1.5V TC=150℃ 2.0 7.0 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=7V; IC=0 5.0 mA hFE-1 DC current gain IC=8A ; VCE=2V 15 60 hFE-2 DC current gain IC=16A ; VCE=2V 4 COB Output capacitance IE=0 ; VCB=10V ;f=0.1MHz 500 pF fT Transition frequency IC=1A ; VCE=20V ;f=0.5MHz 1.0 MHz |
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