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2N5867 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2N5867 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 3 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon PNP Power Transistors 2N5867 2N5868 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT 2N5867 -60 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N5868 IC=-0.1A ;IB=0 -80 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-5A;IB=-1A -1.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=-5A; IB=-1A -1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=ratedVCBO; IB=0 -1.0 mA 2N5867 VCE=-30V; IB=0 ICEO Collector cut-off current 2N5868 VCE=-40V; IB=0 -2.0 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=-5V; IC=0 -1.0 mA hFE DC current gain IC=-1.5A ; VCE=-4V 20 100 fT Trainsistion frequency IC=-0.5A ; VCE=-10V;f=1MHz 4 MHz |
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