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2N6109 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

部品番号 2N6109
部品情報  Silicon PNP Power Transistors
PDF  3 Pages
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メーカー  ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
ホームページ  http://www.iscsemi.cn
Logo ISC - Inchange Semiconductor Company Limited

2N6109 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

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background image
Inchange Semiconductor
Product Specification
2
Silicon PNP Power Transistors
2N6107 2N6109 2N6111
CHARACTERISTICS
Tj=25℃ unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP.
MAX
UNIT
2N6107
-30
2N6109
-50
VCEO(SUS)
Collector-emitter
sustaining voltage
2N6111
IC=-0.1A ;IB=0
-70
V
VCEsat
Collector-emitter saturation voltage
IC=-7A;IB=-3A
-3.5
V
VBE
Base-emitter on voltage
IC=-7A ; VCE=-4V
-3.0
V
2N6107
VCE=-20V; IB=0
2N6109
VCE=-40V; IB=0
ICEO
Collector cut-off current
2N6111
VCE=-60V; IB=0
-1.0
mA
2N6107
VCE=-40V; VBE=-1.5V
VCE=-30V; BE=-1.5V,TC=125℃
-0.1
-2.0
2N6109
VCE=-60V; VBE=-1.5V
VCE=-50V; BE=-1.5V,TC=125℃
-0.1
-2.0
ICEX
Collector cut-off current
2N6111
VCE=-80V; VBE=-1.5V
VCE=-70V; BE=-1.5V,TC=125℃
-0.1
-2.0
mA
IEBO
Emitter cut-off current
VEB=-5V; IC=0
-1.0
mA
2N6107
IC=-2A ; VCE=-4V
2N6109
IC=-2.5A ; VCE=-4V
hFE-1
DC current gain
2N6111
IC=-3A ; VCE=-4V
30
150
hFE-2
DC current gain
IC=-7A ; VCE=-4V
2.3
fT
Transition frequency
IC=-0.5A ; VCE=-4V;f=1MHz
10
MHz



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