| データシートサーチシステム |
|
2SB512 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SB512 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon PNP Power Transistors 2SB512 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-10mA ,IB=0 -60 V V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=-1mA ,IE=0 -60 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=-1mA ,IC=0 -6 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-2A; IB=-0.2A -1.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=-2A; IB=-0.2A -1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=-40V; IE=0 -1.0 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=-4V; IC=0 -1.0 μA hFE DC current gain IC=-0.5A ; VCE=-5V 60 320 fT Transition frequency IC=-0.5A ; VCE=-10V 3 MHz |
|
|
リンク URL |
| ALLDATASHEETはお客様のビジネスに役立ちますか? [ DONATE ] |
Alldatasheetは | 広告 | お問い合わせ | プライバシーポリシー | データシートへのリンク | リンク交換 | メーカーリスト All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |