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2SB546 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SB546 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 4 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon PNP Power Transistors 2SB546 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-10mA; IB=0 -150 V V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=-0.5mA; IE=0 -200 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown votage IE=-0.5mA; IB=0 -5 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-500m A;IB=-50m A -1.0 V ICBO Collector cut-off current VCB=-150V; IE=0 -50 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=-5V; IC=0 -50 μA hFE DC current gain IC=-0.4A ; VCE=-10V 40 240 fT Transition frequency IC=-0.4A ; VCE=-10V 5 MHz hFE classifications R O Y 40-80 70-140 120-240 |
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