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2SB689 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SB689 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor 2SB689 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= -10mA; RBE= ∞ -100 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= -1mA; IC= 0 -4 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -1A; IB= -0.1A B -1.0 V ICEO Collector Cutoff Current VCE= -80V; RBE= ∞ -100 μA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= -3.5V; IC= 0 -50 μA hFE-1 DC Current Gain IC= -0.5A; VCE= -4V 50 250 hFE-2 DC Current Gain IC= -50mA; VCE= -4V 25 350 isc Website:www.iscsemi.cn 2 |
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