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2SB747 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SB747 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor 2SB747 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -3A; IB= -0.3A B -2.0 V VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC= -3A; VCE= -5V -1.8 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= -80V; IE= 0 -50 μA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= -3V; IC= 0 -50 μA hFE-1 DC Current Gain IC= -20mA; VCE= -5V 20 hFE-2 DC Current Gain IC= -1A; VCE= -5V 40 200 hFE-3 DC Current Gain IC= -3A; VCE= -5V 20 COB Collector Output Capacitance IE= 0; VCB= -10V; f= 1MHz 190 pF fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= -0.5A; VCE= -5V 7 MHz hFE-2 Classifications R Q P 40-80 60-120 100-200 isc Website:www.iscsemi.cn 2 |
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