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2SB861 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SB861 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 4 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon PNP Power Transistors 2SB861 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-50mA; RBE=∞ -150 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown votage IE=-5mA; IC=0 -6 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-0.5 A;IB=-50m A -3.0 V VBE Base-emitter voltage IC=-50mA ; VCE=-4V -1.0 V ICBO Collector cut-off current VCB=-120V; IE=0 -1 μA hFE-1 DC current gain IC=-50mA ; VCE=-4V 60 200 hFE-2 DC current gain IC=-0.5A ; VCE=-10V 60 COB Output capacitance IE=0 ;VCB=-100V,f=1MHz 30 pF hFE-1 classifications B C 60-120 100-200 |
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